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海思产出16nm网络处理器效能增快倍

时间:2019-08-15 17:45:20 来源:互联网 阅读:0次

  台积电今天宣布与海思半导体合作,成功产出了世界上颗基于16nm FinFET制造工艺、ARM架构的络处理器,功能完备。

  台积电表示,16nm FinFET工艺能够显著改进芯片性能、功耗,并降低漏电率,栅极密度是台积电28nm HPM工艺的两倍,同等功耗下速度可以加快超过40%,同频率下功耗则可以降低超过60%。

  台积电同时透露,他们对FinFET立体晶体管的研究已经超过10年,这是次投入实用。

  在完成了所有可靠性验证后,台积电16nm FinFET工艺于201 年11月份进入风险性试生产,初期良品率就非常喜人,随即便开始为客户提供流片、试产、出样工作。

  国产半导体厂商海思的出境着实意外。据透露,海思的这颗络处理器基于ARM Cortex-A57 64位架构,主频可达2.6GHz,比上代性能提升了 倍,而且支持虚拟化、软件定义络(SDN)、络功能虚拟化(NFV),功耗优化也取得了新的飞跃,可用于高端络领域。

  它利用台积电的异构CoWoS D IC封装工艺,在一个28nm I/O芯片上集成了16nm逻辑芯片,大大降低了成本。 这说明新处理器还不是完整的16nm产物,而是一个混合试验品。

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